技术细节

• 包装/箱 8-PowerTDFN
• 安装类型 Surface Mount
• 配置 2 N-Channel
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 功率 - 最大 35.7W (Tc)
• 漏源电压 (Vdss) 60V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 35A (Tc)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 782pF @ 30V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 15mOhm @ 12A, 10V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 14.6nC @ 10V
• 场效应管特性 Logic Level Gate
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
• 供应商设备包 TDSON-8-4
• 年级 Automotive
• 资质 AEC-Q101