技术细节

• 包装/箱 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
• 安装类型 Through Hole
• 配置 2 N-Channel
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 功率 - 最大 463W (Tc)
• 漏源电压 (Vdss) 650V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 64A (Tc)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4864pF @ 400V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 51mOhm @ 20A, 10V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 123nC @ 10V
• Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 3.3mA
• 供应商设备包 APMCD-B16
• 年级 Automotive
• 资质 AEC-Q101