技术细节

• 包装/箱 Module
• 安装类型 Chassis Mount
• 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
• 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 Silicon Carbide (SiC)
• 功率 - 最大 1.1kW (Tj)
• 漏源电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 338A (Tj)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 16410pF @ 800V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 5.5mOhm @ 200A, 18V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 876nC @ 20V
• Vgs(th)（最大值）@Id 4.4V @ 120mA
• 供应商设备包 36-PIM (56.7x62.8)