技术细节

• 包装/箱 Module
• 安装类型 Chassis Mount
• 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
• 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 Silicon Carbide (SiC)
• 功率 - 最大 10mW
• 漏源电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 141A (Tj)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 11000pF @ 1000V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 13.9mOhm @ 150A, 15V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 354nC @ 15V
• Vgs(th)（最大值）@Id 3.9V @ 34mA
• 供应商设备包 Module