- 产品型号 HT8KC6TB1
- 品牌 ROHM Semiconductor
- RoHS No
- 描述 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
- 分类 FET、MOSFET 阵列
库存:1500
技术细节
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 配置 2 N-Channel
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 功率 - 最大 2W (Ta), 14W (Tc)
- 漏源电压 (Vdss) 60V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A (Ta), 15A (Tc)
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 460pF @ 30V
- Rds On(最大)@Id、Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 7.6nC @ 10V
- Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 1mA
- 供应商设备包 8-HSMT (3.2x3)