技术细节

• 包装/箱 8-SOIC
• 安装类型 Surface Mount
• 配置 N and P-Channel
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 功率 - 最大 2W (Ta)
• 漏源电压 (Vdss) 30V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11.2A (Ta), 8A (Ta)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 19.2nC @ 4.5V
• Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA
• 供应商设备包 8-SO