技术细节

• 包装/箱 8-PowerTDFN
• 安装类型 Surface Mount
• 配置 N and P-Channel
• 工作温度 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 功率 - 最大 3W (Ta), 20W (Tc)
• 漏源电压 (Vdss) 100V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 1mA
• 供应商设备包 8-HSOP