技术细节

• 包装/箱 6-XFDFN Exposed Pad
• 安装类型 Surface Mount
• 配置 N and P-Channel Complementary
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 功率 - 最大 280mW (Ta), 6W (Tc)
• 漏源电压 (Vdss) 20V
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 930mA (Ta), 3.5A (Tc), 570mA (Ta), 2.3A (Tc)
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 43.6pF @ 10V, 53.5pF @ 10V
• Rds On（最大）@Id、Vgs 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, 770mOhm @ 1.2A, 4.5V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 0.9nC @ 4.5V, 0.8nC @ 4.5V
• Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
• 供应商设备包 DFN1010B-6