技术细节

• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
• Vgs（最大） ±30V
• 漏源电压 (Vdss) 650 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 34.2 nC @ 10 V