- 产品型号 XPJR6604PB,LXHQ
- 品牌 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- 描述 40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
- 分类 单 FET、MOSFET
库存:1509
技术细节
- 包装/箱 5-PowerSFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 175°C
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 200A (Ta)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 0.66mOhm @ 100A, 10V
- 功耗(最大) 375W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 1mA
- 供应商设备包 S-TOGL™
- 年级 Automotive
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 128 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 11380 pF @ 10 V
- 资质 AEC-Q101