技术细节

• 安装类型 Through Hole
• 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
• 电流 - 平均整流 (Io) 114A
• 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
• 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 2000 V
• 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 1.75 V @ 40 A
• 电流 - 反向漏电流@Vr 600 µA @ 2000 V